【新版】

挥发性存储,挥发性存储器加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
资料形式：DVD/U盘/电子版正文语种: 简体中文
可否打印：是装帧: 平装
分类：专业技术
咨询电话：028-87023516 (手机微信)18980857561 或18190762281
客服QQ1：853136199 客服QQ2：478224130
资料说明：资料都是电子文档PDF格式，可在电脑中阅读、放大缩小、打印，可以网传，也可以刻录在光盘或优盘中（加收40元）邮寄，如需纸质版客户可自行打印。资料具体内容包括技术开发单位信息、技术原理、技术原文，技术配方、工艺流程、制作方法，设备原理、机械设计构造、图纸等，是开发产品不可多得的专业参考资料。

订购请记住资料编号：GY10001-27651 资料价格:258元

1、非挥发性存储元件、非挥发性存储装置及非挥发性存储元件的写入方法

[简介]：本套资料提供一种非挥发性存储元件，其中，在电脉冲的电压值具有V2＞V1＞0V＞V3＞V4的关系、电阻变化层的电阻值具有R3＞R2＞R4＞R1的关系的情况下，在对电极间外加电压值为V2以上的电脉冲时，电阻变化层为R2，在对电极间外加电压值为...

2、非挥发性存储元件、非挥发性存储装置及非挥发性存储元件的写入方法

[简介]：本套资料提供一种非挥发性存储装置以及一种存取一非挥发性存储装置的方法。该非挥发性存储装置包含一管理单元、一查找表look-up及一控制器。该管理单元包含多个数据区块及多个备用区块。该查找表适合记录该管理单元...

3、非挥发性存储装置以及存取一非挥发性存储装置的方法

[简介]：提高非挥发性快闪存储器高密度多值存储特性的操作方法，1首先将局部俘获型非挥发性快闪存储单元的初始状态调整到阈值电压-2V～-1V：采用双边的带-带遂穿热空*注入BBHH的擦除方法进行调整到所述阈值电压；然后再进行瞬...

4、一种提高非挥发性快闪存储器高密度存储特性的操作方法

[简介]：本技术提供一种以挥发性存储器实现的固态存储装置，主要包括：第一传输接口、存储器控制器、存储器模块及备份存储器模块。其中，存储器模块由两个以上挥发性存储器组成，备份存储器模块由两个以上非挥发性存储器组成，并且...

5、以挥发性存储器实现的固态存储装置

[简介]：本套资料主要内容为一种SONOS非挥发性存储器件的数据写入方法，首先在多晶硅栅极加第一栅压，将源端、漏端和阱端接地，将该电压偏置持续保持第一时间；然后在多晶硅栅极加第二栅压，第二栅压绝对值小于第一栅压绝对值，在漏端加源漏...

6、SONOS非挥发性存储器件的数据写入方法

[简介]：非挥发性快闪存储器高密度多值存储的操作方法，对局部俘获型多值单元的存储操作采用下面的步骤：1）首先将局部俘获型存储单元擦除到阈值电压-2V～-1V的初始状态；擦除后使局部俘获型存储单元左右两边存储位的阈值电压相同；...

7、一种非挥发性快闪存储器高密度多值存储的操作方法

[简介]：本套资料属于半导体存储器件技术领域，具体涉及一种自对准的垂直式非挥发性半导体存储器件。包括：一个半导体衬底一个具有第一种掺杂类型的漏区两个具有第二种掺杂类型的源区一个用于捕获电子的堆叠栅其中，漏区和两个源...

8、一种自对准的垂直式非挥发性半导体存储器件

[简介]：本套资料实施例提出了一种非挥发性半导体存储器，包括：字线、位线、限压器件和存储单元，存储单元位于字线和位线的交叉区域，存储单元包括存储电阻和选通器件，存储电阻为二元及二元以上的多元金属氧化物，存储器件的上电极与限...

9、非挥发性半导体存储器及其存储操作方法

[简介]：本套资料主要内容为一种非挥发性存储器件的编程方法，属于非挥发性存储器技术领域。所述存储器件为堆栈栅非挥发性存储器件时，所述方法包括如下步骤：在编程时刻前，于非挥发性存储器件的漏极和或源极，施加预定脉冲宽度和电压的...

10、一种非挥发性存储器件的编程方法

[简介]：本套资料涉及基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法，属于存储器技术领域。所述存储方法采用热电子注入为编程方式，以FN隧穿为擦除方式，以读电流大小来区分00、01、10、11四种存储状态，从而可以在同样的面积下实现...

11、基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法

[简介]：本套资料是一种存储装置以及用来存取非挥发性存储器的存储器控制器。该存储器控制器耦接于该非挥发性存储器，并用来存取该非挥发性存储器，且该存储器控制器与该非挥发性存储器分别设置于两个独立的芯片中；当一外部数据欲写...

12、存储装置以及用来存取非挥发性存储器的存储器控制器

[简介]：一种非挥发性存储器存取方法、系统及非挥发性存储器控制器，用于存取非挥发性存储器芯片内的多个实体区块，且每一实体区块具有多个实体页。本方法包括当第一实体区块中多个特定实体页其中之一所存储的数据要被更新时，判断...

13、非挥发性存储器存取方法、系统及非挥发性存储器控制器

[简介]：本套资料主要内容为一种非挥发性存储装置及其控制方法。该非挥发性存储装置包括快闪存储器和控制器。控制器内设有错误修正单元，错误修正单元可根据控制器所接收的写入资料产生第一修正码和第二修正码，并由控制器分别储存该写入...

14、非挥发性存储装置及其控制方法

[简介]：本套资料公开一种非挥发性电阻存储元件及其制备方法，该存储元件包括NiOMgxZn1-xOx＝0.4～1p-n异质结薄膜层、以及分别配置在该异质结薄膜层上表面和下表面的Pt电极。本套资料的电阻存储元件具有稳定且可重复的电阻开关特性，...

15、一种非挥发性电阻存储元件及其制备方法

[简介]：本套资料主要内容为一种非挥发性存储元件，由MgxZn1-xO薄膜及其上下表面的Pt电极构成三明治结构的MgxZn1-xO薄膜非挥发性存储元件，其中x＝0.6或0.8或1。本套资料还主要内容为上述非挥发性存储元件的制备方法，包括以下步骤：制备MgxZn1-...

16、一种非挥发性存储元件及其制备方法

[简介]：本套资料主要内容为一种非挥发性存储装置及其控制方法，特别的提供了一种在快闪存储装置中执行损耗平衡的方法和设备。本套资料统计所有记忆区块的抹除次数，以掌控记忆区块被抹除次数的分布情况，再利用标准差决定执行静态抹除平均...

17、非挥发性存储装置及其控制方法

[简介]：提供一种电阻变化型元件，它具有：第一电极2；第二电极4；和配置在上述第一电极和上述第二电极之间，与上述第一和上述第二电极电气上连接的电阻变化层3。上述电阻变化层由包含TaOx1.6≤X≤2.2的材料构成；通过在第一电...

18、电阻变化型元件、不挥发性切换元件和电阻变化型存储装置

[简介]：本套资料提出一种非挥发性存储单元，包括：第一存储子单元和第二存储子单元，用于存储数据；放大单元，所述放大单元与所述第一存储子单元和第二存储子单元相连，包括首尾相接第一反相器和第二反相器，用于感应和放大读取电流；第...

19、一种非挥发性存储单元

[简介]：在电阻交叉点单元阵列中，除读出时选择的存储器单元之外，产生无数个寄生电流的路径。因为该寄生电流的总和与选择的存储器单元的电流相比相当大，所以判别选择的存储器单元中存储的数据有困难。为了判别电阻交叉点单元阵列...

20、不挥发性半导体存储装置

[简介]：本技术涉及一种提高数据存储时间的非挥发性记忆体，其半导体基板内的上部设有记忆体细胞；记忆体细胞包括PMOS访问晶体管、控制电容及编程电容；半导体基板内的上部设有若干隔离沟槽，隔离沟槽内设置有隔离介质以形成领...

21、一种提高数据存储时间的非挥发性记忆体及其制备方法

22、一种提高数据存储时间的非挥发性记忆体及其制备方法

23、一种非挥发性存储器低压快速窄注入编程方法

24、非挥发性存储单元及存储器

25、非挥发性存储装置的数据保密方法及架构

26、一种非挥发性存储器单元结构以及形成方法

27、非挥发性半导体存储装置

28、非挥发性静态随机存取存储器装置及其操作方法

29、SONOS非挥发性存储器

30、非挥发性存储体的蚀刻方法

31、基于硒化镉纳米线肖特基结型多字节非挥发性存储器及其制备方法

32、非挥发性半导体存储器的擦除方法

33、非挥发性存储器

34、用长寿命非挥发性存储芯片提高内或外部存储器使用寿命

35、非挥发性电阻转变存储器

36、非挥发性半导体存储单元、器件及制备方法

37、在SONOS非挥发性存储器工艺中嵌入高压器件的方法

38、在SONOS非挥发性存储器工艺中嵌入高压器件的方法

39、一种利用MIM电容结构制备非挥发性存储器的方法

40、多位元单元非挥发性存储器的使用新顺序的二次写入方法

41、具有晶体管与电阻值切换装置并联的非挥发性存储器装置

42、具有晶体管与电阻值切换装置并联的非挥发性存储器装置

43、用长寿命非挥发性存储芯片提高内部或外部存储器寿命

44、非挥发性存储器封装及从一非挥发性存储器阵列读取被储存的数据的方法

45、提高非挥发性电阻存储器可靠性的方法及结构

46、支持虚拟信道的非挥发性存储器控制器

47、一种非挥发性存储器

48、一种嵌入式非挥发性存储器

49、用长寿命非挥发性存储芯片提高内部或外部存储器使用寿命

50、一种纳米尺度非挥发性阻变存储器单元及其制备方法

51、非挥发性电阻转变存储器及其制备方法

52、非挥发性存储器的低压快速抹除方法

53、一种非挥发性存储器及其制造方法

54、在SONOS非挥发性存储器制造工艺中生长厚栅极氧化层的方法

55、操作存储器的方法及其非挥发性存储器

56、非挥发性半导体存储器件

57、一种基于纳米晶的非挥发性存储器

58、氧化铜纳米颗粒薄膜非挥发性存储器原型器件的制作方法

59、非挥发性存储器的*验证方法

60、一种非挥发性存储器以及其制造、编程和读取方法

61、一种基于应变硅的纳米晶非挥发性存储器及其制作方法

62、一种基于应变硅的纳米晶非挥发性存储器及其制作方法

63、形成非挥发性存储元件的方法

64、非挥发性存储元件及其制造方法

65、非挥发性存储器、非挥发性存储器阵列及其制造方法

66、基于非挥发性存储装置文件系统存储方法

67、包括减少穿通泄漏的非挥发性存储器单元的集成电路

68、基于低压工艺的非挥发性存储器单元及阵列和操作方法

69、高速可编程不挥发性半导体存储装置

70、用于制造非挥发性电阻式随机存储器的薄膜材料及方法

71、磁盘驱动器中控制非挥发性存储器的方法和装置

72、增加非挥发性存储器除错能力的方法

73、非挥发性存储元件的结构

74、一种用于制备单层多晶硅栅非挥发性存储器的方法

75、选择栅极、非挥发性半导体存储器及其制作方法

76、一次可编程非挥发性存储器单元

77、非挥发性存储器储存装置及其存取方法

78、写信号加锁的不挥发性存储器

79、非挥发性存储单元及其制造方法

80、栅极结构及非挥发性半导体存储器的制作方法

81、具无线遥控功能的非挥发性存储装置

82、具无线遥控功能的非挥发性存储装置

83、非挥发性存储器的操作方法

84、一种非挥发性存储器单元及其制造方法

85、防止非挥发性存储器阵列产生位线干扰的方法

86、一种制作金属纳米晶非挥发性存储器的方法

87、非挥发性存储单元及其操作方法与非挥发性内存

88、具激光指示功能的非挥发性存储装置

89、基于双层纳米硅结构的非挥发性浮栅存储器及制备方法

90、具供电功能的非挥发性存储装置

91、非挥发性半导体存储器元件及其制造方法

92、浮动单栅极的非挥发性存储器及其操作方法

93、一种非挥发性阻抗存储器及其制造方法

94、一种非挥发性阻抗存储器及其制造方法

95、一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法

96、非挥发性存储器的制造方法

97、一次可编程非挥发性存储器芯片单元及其制备方法

98、一种非挥发性存储器结构及其制造方法

99、非挥发性半导体存储器件

100、非挥发性半导体存储器件

101、非挥发性存储器的写入方法

102、非挥发性存储器的写入方法

103、非挥发性存储器的写入方法

104、非挥发性存储器的擦除方法

105、一种提高非挥发性存储器数据擦除速度的方法

106、内置非挥发性存储器芯片的测试模式实现方法

107、非挥发性存储器的低氢浓度电荷捕获层结构及其形成方法

108、非挥发性存储器的低氢浓度电荷捕获层结构及其形成方法

109、非挥发性存储器及其制作方法

110、高耦合比的非挥发性存储器的制造方法

111、多层纳米晶浮栅结构的非挥发性存储器及其制备方法

112、多阶非挥发性存储器的制造方法

113、制作非挥发性存储元件的方法

114、平坦型非挥发性半导体存储元件

115、SNNNS类非挥发性存储胞的数据写入与清除方法

116、非挥发性存储器设定值加载方法与其存储器装置

117、浮置栅极与非挥发性存储器的制造方法

118、浮置栅极与非挥发性存储器的制造方法

119、半导体结构与非挥发性存储器的结构及制造方法

120、磁阻效应元件以及搭载该元件的不挥发性磁存储器

121、具多个浮置栅及一沟道连接区域的非挥发性存储器

122、具多个浮置栅及一沟道连接区域的非挥发性存储器

123、基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器

124、挥发性存储器原子供电系统

125、一种纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法

126、非挥发性存储器的启始电压的重置方法

127、非挥发性存储器器件结构

128、非挥发性存储器器件结构

129、数据处理装置与控制非挥发性存储设备重写的方法

130、非挥发性存储器与其制作方法

131、在计算机主存储器建立非挥发性存储空间的方法和计算机核心系统

132、非挥发性存储器单元

133、增加偶合比的非挥发性存储装置及其制造方法

134、非挥发性存储器与浮置栅极层的制造方法

135、非挥发性存储器的制造方法

136、非挥发性存储器的抹除方法

137、非挥发性存储器及其制造方法与操作方法

138、非挥发性存储器及其制造方法

139、形成具有镶嵌式浮置栅极的非挥发性存储器的方法

140、非挥发性半导体存储器及其制作方法

141、包括一个电阻器和一个二极管的非挥发性存储器

142、包括一个电阻器和一个二极管的非挥发性存储器

143、与非门型非挥发性存储器及其制造方法与操作方法

144、多阶非挥发性存储器及其制造方法与操作方法

145、非挥发性存储器的制造方法

146、形成纳米单晶硅的方法和非挥发性半导体存储器制造方法

147、与非非挥发性二位存储器及其制造方法

148、非挥发性存储器及其相关临限电压验证方法与半导体装置

149、半导体元件与非挥发性存储器的制作方法

150、非挥发性存储器的制造方法

151、非挥发性存储器的制造方法

152、非挥发性存储器的操作方法

153、基于电阻变化的非挥发性存储器、切换方法及制备方法

154、非挥发性存储单元

155、非挥发性存储器的制造方法

156、非挥发性存储器的制造方法

157、非挥发性存储器的制造方法

158、非挥发性存储器的制造方法

159、非挥发性存储器及其制造方法与操作方法

160、非挥发性存储器及其制造方法

161、非挥发性存储器及其制造方法

162、非挥发性存储器及其制造方法

163、非挥发性存储器及其制造方法

164、非挥发性存储器及其制造方法

165、非挥发性存储器及其制造方法与操作方法

166、应用在非挥发性分离栅存储器的写入操作电路及方法

167、单栅极具多比特储存的非挥发性存储器的操作方法

168、向半导体非挥发性存储器的信息的记录方法

169、非挥发性存储器及其制造方法

170、非挥发性存储器及其制造方法与操作方法

171、非挥发性存储器及其制造方法

172、非挥发性存储单元的制作方法

173、非挥发性存储器的制造方法

174、非挥发性存储单元的制作方法

175、非挥发性存储器及其制造方法与操作方法

176、非挥发性存储器及其制造方法与操作方法

177、非挥发性存储器及其制造方法与操作方法

178、非挥发性存储器及其制造方法

179、多用途非挥发性存储器

180、非挥发性存储单元及其制造方法以及其操作方法

181、电子电路、系统、非挥发性存储器及其操作方法

当前第1页
1 2

本套资料共包括288项技术资料，由于篇幅限制未能完整列出，请点击下载完整目录

马上订购

联系客服